Тип: Розпорядження
№ 42-р
Дата: 14 лютого 2007 р.
Статус: Чинний
КАБІНЕТ МІНІСТРІВ УКРАЇНИ
РОЗПОРЯДЖЕННЯ від 14 лютого 2007 р. N 42-р Київ
Про реалізацію у 2007-2008 роках науково-технічних проектів відповідно до міжвідомчої науково-технічної програми "Нанофізика та наноелектроніка"
Погодитися з пропозицією МОН щодо реалізації у 2007-2008 роках відповідно до міжвідомчої науково-технічної програми "Нанофізика та наноелектроніка", схваленої розпорядженням Кабінету Міністрів України від 14 березня 2001 р. N 85 ( 85-2001-р ), науково-технічних проектів згідно з додатком.
Прем'єр-міністр України В.ЯНУКОВИЧ
Інд. 28
Додаток до розпорядження Кабінету Міністрів України від 14 лютого 2007 р. N 42-р
ПЕРЕЛІК науково-технічних проектів, що підлягають реалізації відповідно до міжвідомчої науково-технічної програми "Нанофізика та наноелектроніка" у 2007-2008 роках
(тис. гривень)
--------------------------------------------------------------------
| Найменування | Найменування | Орієнтовний | У тому |
| науково-технічного | установи, | обсяг | числі за |
| проекту | відповідальної |фінансування, | роками |
| | за реалізацію | усього |-----------|
| | проекту | |2007 |2008 |
| | | | | |
| | | | | |
|------------------------------------------------------------------|
| 1. ФІЗИКА НАНОСТРУКТУР |
|------------------------------------------------------------------|
|1. Фізичні механізми |Інститут фізики | 600 | 200| 400|
|впливу деформаційних |напівпровідників| | | |
|полів на |Національної | | | |
|самоорганізоване |академії наук | | | |
|формування | | | | |
|напівпровідникових | | | | |
|наноструктур і | | | | |
|варіювання цих полів | | | | |
|для керування | | | | |
|характеристиками | | | | |
|наноструктур | | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
|2. Теоретичні і | -"- | 750 | 150| 600|
|експериментальні | | | | |
|дослідження | | | | |
|випромінювальних | | | | |
|процесів у кремнієвих | | | | |
|та германієвих | | | | |
|наноструктурах | | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
|3. Дослідження |Інститут фізики | 1100 | 300| 800|
|закономірностей |Національної | | | |
|самоскладання та |академії наук | | | |
|електронних | | | | |
|характеристик | | | | |
|плівкових органічних | | | | |
|та композитних | | | | |
|наноструктур для | | | | |
|розроблення фізичних | | | | |
|основ створення і | | | | |
|функціонування | | | | |
|молекулярно- | | | | |
|електронних схем | | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
|4. Розроблення методу |науково- | 1800 | 500| 1300|
|керування магнітними |виробничий | | | |
|та транспортними |концерн "Наука",| | | |
|властивостями |м. Київ | | | |
|наноструктурних | | | | |
|феромагнітних | | | | |
|манганітів та | | | | |
|кобальтитів зовнішнім | | | | |
|тиском і варіацією | | | | |
|розміру наночасток | | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
|5. Теоретичне та |Львівська філія | 1200 | 300| 900|
|експериментальне |науково- | | | |
|дослідження |виробничого | | | |
|просторового |концерну "Наука"| | | |
|надрозподілу зображень| | | | |
|віддалених джерел | | | | |
|випромінювання світла | | | | |
|у металодіелектричних | | | | |
|наноструктурах | | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
|6. Створення |державний | 1200 | 350| 850|
|математичної моделі |науково- | | | |
|синтезу наноструктур, |дослідний центр | | | |
|нанотрубок та |"Фонон" МОН, | | | |
|електронного |м. Київ | | | |
|транспорту в них | | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
|7. Теоретичні та |Інститут фізики | 500 | 100| 400|
|експериментальні |Національної | | | |
|дослідження структури,|академії наук | | | |
|транспорту електронів | | | | |
|та нелінійно-оптичних | | | | |
|властивостей у | | | | |
|композитних | | | | |
|наноструктурних | | | | |
|матеріалах на основі | | | | |
|металевих острівцевих | | | | |
|плівок | | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
|8. Дослідження |Національний | 1000 | 300| 700|
|електрофізичних |технічний | | | |
|параметрів |університет | | | |
|сегнетоелектричних |"Київський | | | |
|матеріалів та |політехнічний | | | |
|наноструктур теплових |інститут" | | | |
|сенсорів | | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
|9. Дослідження |Інститут | 600 | 100| 500|
|функціональних |магнетизму | | | |
|властивостей |Національної | | | |
|наномасштабних |академії наук та| | | |
|структур у |МОН | | | |
|сильноградієнтних | | | | |
|магнітних полях | | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
| |Разом | 8750 | 2300| 6450|
|------------------------------------------------------------------|
| 2. ТЕХНОЛОГІЯ НАНОСТРУКТУР |
|------------------------------------------------------------------|
|10. Розроблення |науково- | 800 | 200| 600|
|базової технології |виробниче | | | |
|отримання |підприємство | | | |
|гетероструктур A3B5 |"Карат" | | | |
|для оптоелектронних |Мінпромполітики,| | | |
|приладів на основі |м. Львів | | | |
|масивів квантових | | | | |
|точок з використанням | | | | |
|модифікуючого впливу | | | | |
|рідкісноземельного | | | | |
|елемента на процеси | | | | |
|зародкоутворення | | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
|11. Розроблення | -"- | 400 | 50| 350|
|нанотехнологій | | | | |
|лазерного | | | | |
|структурування | | | | |
|мікрорельєфу поверхні | | | | |
|для зменшення тертя | | | | |
|деталей машин і | | | | |
|механізмів | | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
|12. Створення |Науково- | 700 | 200| 500|
|функціональних |дослідний | | | |
|п'єзоелектричних |інститут | | | |
|матеріалів для |прикладної | | | |
|одержання плівкових |електроніки | | | |
|MEMS-структур у складі|Національного | | | |
|наноелектронних |технічного | | | |
|комірок |університету | | | |
| |"Київський | | | |
| |політехнічний | | | |
| |інститут" | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
|13. Оптимізація |Інститут фізики | 600 | 200| 400|
|теплових режимів |напівпровідників| | | |
|потужних |Національної | | | |
|надвисокочастотних та |академії наук | | | |
|світловипромінювальних| | | | |
|приладів на базі | | | | |
|GaN-наноструктур | | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
|14. Розроблення | -"- | 500 | 150| 350|
|методів модифікації | | | | |
|характеристик | | | | |
|світловипромінюючих | | | | |
|структур на основі | | | | |
|широкозонних сполук | | | | |
|A2B6 для потреб | | | | |
|оптичної електроніки і| | | | |
|медицини | | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
|15. Фізичні | -"- | 1000 | 250| 750|
|дослідження та | | | | |
|розроблення | | | | |
|технологічних основ | | | | |
|високоефективних | | | | |
|діодів міліметрового | | | | |
|та субміліметрового | | | | |
|діапазонів на базі | | | | |
| + + + + | | | | |
|n -n-n та n -i-n | | | | |
|епітаксійних | | | | |
|гетероструктур, | | | | |
|виготовлених з | | | | |
|новітніх широкозонних | | | | |
|матеріалів | | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
|16. Дослідження |науково- | 400 | 100| 300|
|залежності структурних|виробничий | | | |
|та електрофізичних |концерн "Наука",| | | |
|характеристик |м. Київ | | | |
|наногетероструктур на | | | | |
|основі A3B5 від умов | | | | |
|їх отримання | | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
|17. Розроблення |науково- | 1200 | 200| 1000|
|технології отримання |виробниче | | | |
|чутливих середовищ для|підприємство | | | |
|діагностики та |"Карат" | | | |
|дослідження |Мінпромполітики,| | | |
|субмікронних |м. Львів | | | |
|(нанорозмірних) | | | | |
|магнітних | | | | |
|неоднорідностей | | | | |
|магнітних полів у | | | | |
|магнітних, | | | | |
|напівпровідникових та | | | | |
|надпровідних | | | | |
|структурах у широкому | | | | |
|інтервалі температур | | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
|18. Розроблення |Львівська філія | 2100 | 400| 1700|
|технології створення |науково- | | | |
|та дослідження |виробничого | | | |
|фізичних процесів у |концерну "Наука"| | | |
|крупноформатних | | | | |
|матричних | | | | |
|фотоприймачах | | | | |
|довгохвильового | | | | |
|інфрачервоного | | | | |
|випромінювання, а | | | | |
|також методів | | | | |
|зчитування та обробки | | | | |
|інформації з таких | | | | |
|матриць | | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
|19. Дослідження |Інститут | 500 | 100| 400|
|електронної структури |металофізики | | | |
|та електронних |Національної | | | |
|властивостей |академії наук | | | |
|металічного моношару | | | | |
|на поверхні | | | | |
|високотемпературного | | | | |
|надпровідника методом | | | | |
|фотоелектронної | | | | |
|спектроскопії з | | | | |
|кутовою роздільною | | | | |
|здатністю | | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
| |Разом | 8200 | 1850| 6350|
|------------------------------------------------------------------|
| 3. ДІАГНОСТИКА НАНОСТРУКТУР |
|------------------------------------------------------------------|
|20. Створення методів |науково- | 2250 | 700| 1550|
|локальної діагностики |виробничий | | | |
|структурних та |концерн "Наука",| | | |
|електронних |м. Київ | | | |
|властивостей | | | | |
|приладових | | | | |
|наноструктур на основі| | | | |
|атомно-силової | | | | |
|мікроскопії | | | | |
|електростатичних сил | | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
|21. Діагностика |Київський | 1300 | 400| 900|
|нанорозмірних структур|національний | | | |
|та розроблення на їх |університет | | | |
|базі основ технології |імені Тараса | | | |
|виготовлення приладів |Шевченка | | | |
|обробки інформації | | | | |
|нового покоління | | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
|22. Діагностика |Національний | 300 | 50| 250|
|руйнування об'єктів |технічний | | | |
|мікро- та |університет | | | |
|наноелектроніки під |"Київський | | | |
|зовнішнім впливом |політехнічний | | | |
| |інститут" | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
|23. Розроблення |Науково- | 800 | 200| 600|
|діагностичного |дослідний | | | |
|вимірювального |інститут | | | |
|комплексу для |прикладної | | | |
|визначення параметрів |електроніки | | | |
|нанокомпонентів |Національного | | | |
|волоконно-оптичних |технічного | | | |
|ліній зв'язку |університету | | | |
| |"Київський | | | |
| |політехнічний | | | |
| |інститут" | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
|24. Розроблення |науково- | 6500 | 1800| 4700|
|методів діагностики |виробничий | | | |
|наноструктур у процесі|концерн "Наука",| | | |
|виробництва та |м. Київ | | | |
|створення на їх основі| | | | |
|сучасної діагностичної| | | | |
|лабораторії загального| | | | |
|користування | | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
|25. Мікрохвильова |Харківський | 600 | 100| 500|
|діагностика та |національний | | | |
|модифікація матеріалів|університет | | | |
|у нанотехнологіях |радіоелектроніки| | | |
| |МОН | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
|26. Розроблення |науково- | 1700 | 450| 1250|
|програмно-апаратного |виробничий | | | |
|комплексу для |концерн "Наука",| | | |
|дослідження |м. Київ | | | |
|електричних та | | | | |
|оптичних характеристик| | | | |
|світлодіодних | | | | |
|випромінювачів | | | | |
|видимого діапазону | | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
|27. Розроблення методу|науково- | 1600 | 400| 1200|
|підвищення |виробничий | | | |
|розподільної здатності|концерн "Наука",| | | |
|атомно-силової |м. Київ | | | |
|мікроскопії шляхом | | | | |
|створення позиційно- | | | | |
|чутливої матриці | | | | |
|фоточутливих елементів| | | | |
|із спеціальною | | | | |
|топологією міжз'єднань| | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
|28. Розроблення |Національний | 250 | 50| 200|
|методики отримання |технічний | | | |
|карт кластерів на |університет | | | |
|гранях зростаючого |"Київський | | | |
|кристалу методом |політехнічний | | | |
|дифракції відбитих |інститут" | | | |
|електронів з | | | | |
|просторовою | | | | |
|розподільною здатністю| | | | |
|10 нанометрів та менше| | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
|29. Розроблення та |науково- | 1000 | 200| 800|
|дослідження |виробниче | | | |
|інфрачервоних |підприємство | | | |
|детекторів на основі |"Карат" | | | |
|квантово-розмірних |Мінпромполітики,| | | |
|структур SiGe/Si, |м. Львів | | | |
|Ge/Si | | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
| |Разом | 16300 | 4350|11950|
|------------------------------------------------------------------|
| 4. НАНОЕЛЕКТРОНІКА ТА НАНОФОТОНІКА |
|------------------------------------------------------------------|
|30. Синтез та |Інститут | 1300 | 390| 910|
|властивості |сцинтиляційних | | | |
|багатофункціональних |матеріалів | | | |
|люмінофорів на основі |Національної | | | |
|активованих |академії наук | | | |
|нанокристалів | | | | |
|діелектриків | | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
|31. Розроблення |державний | 1650 | 450| 1200|
|фізичних принципів |науково- | | | |
|функціонування та |дослідний центр | | | |
|основ технології |"Фонон" МОН, | | | |
|формування ланцюжків |м. Київ | | | |
|кубітів, їх | | | | |
|виготовлення та | | | | |
|дослідження | | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
|32. Створення та |Інститут | 750 | 150| 600|
|дослідження |металофізики | | | |
|багатошарових |Національної | | | |
|тонкоплівкових |академії наук | | | |
|наноперіодичних | | | | |
|структур з | | | | |
|високотемпературних | | | | |
|надпровідних купратів | | | | |
|для новітніх пасивних | | | | |
|пристроїв | | | | |
|надвисокочастотної | | | | |
|електроніки з | | | | |
|наднизькими втратами | | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
|33. Розроблення та |державний | 1600 | 400| 1200|
|дослідження |науково- | | | |
|спеціалізованих |дослідний центр | | | |
|високотемпературних |"Фонон" МОН, | | | |
|надпровідних сквидів |м. Київ | | | |
|постійного струму на | | | | |
|основі | | | | |
|наногетероструктур для| | | | |
|підсилення сигналів | | | | |
|високих частот | | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
|34. Створення |Інститут фізики | 750 | 150| 600|
|елементної бази |напівпровідників| | | |
|прототипів |Національної | | | |
|багатоелементних |академії наук | | | |
|приймальних та | | | | |
|генеруючих елементів | | | | |
|терагерцового | | | | |
|діапазону | | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
|35. Розроблення та |державний | 2200 | 500| 1700|
|створення |науково- | | | |
|однофотонного |дослідний центр | | | |
|інфрачервоного |"Фонон" МОН, | | | |
|детектора на основі |м. Київ | | | |
|тонкоплівкових | | | | |
|надпровідникових | | | | |
|наноструктур | | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
|36. Розроблення |науково- | 800 | 200| 600|
|інфрачервоних |виробниче | | | |
|випромінювачів на |підприємство | | | |
|багатошарових |"Карат" | | | |
|молекулярно-променево-|Мінпромполітики,| | | |
|епітаксійних |м. Львів | | | |
|структурах на основі | | | | |
|Cd Hg Te з | | | | |
| x 1-x | | | | |
|нанорозмірними | | | | |
|активними шарами | | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
|37. Дослідження та |державний | 300 | 70| 230|
|розроблення шляхів |науково- | | | |
|створення елементів |дослідний | | | |
|надвисокочастотних |інститут "Оріон"| | | |
|інтегральних схем |Мінпромполітики,| | | |
|міліметрового та |м. Київ | | | |
|терагерцового | | | | |
|діапазонів на основі | | | | |
|мікро- і | | | | |
|нанокристалічних шарів| | | | |
|синтетичного алмазу | | | | |
|завтовшки | | | | |
|20-100 мікрометрів | | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
|38. Дослідження та | -"- | 420 | 90| 330|
|створення джерел | | | | |
|надвисокочастотного | | | | |
|випромінювання в | | | | |
|субміліметровому | | | | |
|діапазоні на базі | | | | |
|багатошарових | | | | |
|напівпровідникових | | | | |
|структур, у тому числі| | | | |
|на основі GaAs/AlAs, | | | | |
|Ga/Al двобар'єрних | | | | |
|квантових наноструктур| | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
|39. Дослідження | -"- | 180 | 50| 130|
|можливості створення | | | | |
|надпотужних джерел | | | | |
|надвисокочастотних | | | | |
|коливань на основі | | | | |
|високопольових | | | | |
|механізмів лавинної | | | | |
|іонізації та | | | | |
|міждолинного переносу | | | | |
|носіїв у GaN | | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
|40. Розроблення та |науково- | 9000 | 2400| 6600|
|створення сучасної |виробничий | | | |
|нанотехнологічної |концерн "Наука",| | | |
|лабораторної лінії з |м. Київ | | | |
|виготовлення | | | | |
|наноструктурних | | | | |
|елементів на базі | | | | |
|російсько-українського| | | | |
|технологічного модуля | | | | |
|Nanofab | | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
|41. Розроблення та | -"- | 3500 | 800| 2700|
|дослідження | | | | |
|напівпровідникових | | | | |
|над'яскравих | | | | |
|світлодіодів на основі| | | | |
|квантоворозмірних | | | | |
|гетероструктур InGaN | | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
|42. Розроблення та |Науково- | 800 | 200| 600|
|дослідження |дослідний | | | |
|фоточутливих елементів|інститут | | | |
|на основі GaN та |прикладної | | | |
|вимірювальних приладів|електроніки | | | |
|ультрафіолетового |Національного | | | |
|діапазону на їх базі |технічного | | | |
| |університету | | | |
| |"Київський | | | |
| |політехнічний | | | |
| |інститут" | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
|43. Низькотемпературні|державний | 2800 | 500| 2300|
|наноелектронні |науково- | | | |
|пристрої для |дослідний центр | | | |
|проведення |"Фонон" МОН, | | | |
|спектрального аналізу |м. Київ | | | |
|електромагнітних | | | | |
|сигналів на основі | | | | |
|джозефсонівських | | | | |
|гетероструктур | | | | |
|субмікронного розміру | | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
|44. Створення |Харківський | 700 | 150| 550|
|детекторів квантового |національний | | | |
|стану на основі явища |університет | | | |
|суперпозиції у фазових|радіоелектроніки| | | |
|та зарядових кубітах |МОН | | | |
|----------------------+----------------+--------------+-----+-----|
| |Разом | 26750 | 6500|20250|
| |----------------+--------------+-----+-----|
| |УСЬОГО за | 60000 |15000|45000|
| |переліком | | | |
--------------------------------------------------------------------