Тип: Постанова
№ 1368
Дата: 15 жовтня 2004 р.
Статус: Чинний
КАБІНЕТ МІНІСТРІВ УКРАЇНИ
ПОСТАНОВА
від 15 жовтня 2004 р. N 1368
Київ
Про затвердження Державної науково-технічної програми розвитку мікро- та оптоелектронних технологій на 2005 - 2007 роки
З метою прискорення розвитку високих наукоємних конкурентоспроможних технологій в галузі мікро- та оптоелектроніки Кабінет Міністрів України постановляє:
1. Затвердити Державну науково-технічну програму розвитку мікро- та оптоелектронних технологій на 2005 - 2007 роки, що додається.
2. Покласти на Національну академію наук функції державного замовника Програми, затвердженої цією постановою.
3. Затвердити керівником Програми генерального директора науково-технологічного комплексу "Інститут монокристалів" Національної академії наук Семиноженка В. П.
Прем'єр-міністр України
В. ЯНУКОВИЧ
Інд. 28
ЗАТВЕРДЖЕНО
постановою Кабінету Міністрів України
від 15 жовтня 2004 р. N 1368
ДЕРЖАВНА НАУКОВО-ТЕХНІЧНА ПРОГРАМА
розвитку мікро- та оптоелектронних технологій на 2005 - 2007 роки
1. Загальна частина
Ця Програма спрямована на реалізацію державної стратегії відродження і підтримки вітчизняного виробництва та розвитку високих наукоємних конкурентоспроможних технологій у галузях промисловості, зокрема електронній, виробництва транспортних засобів, машино- і приладобудування, засобів систем інформації, енергозберігаючих технологій на основі функціональної силової електроніки тощо як найважливішої умови підвищення добробуту населення та досягнення Україною статусу розвинутої країни відповідно до Програми діяльності Кабінету Міністрів України, схваленої Постановою Верховної Ради України від 17 квітня 2003 р. N 729.
У сучасній економіці розвинутих країн основоположними є наукоємні виробництва, серед яких провідне місце займає електронна промисловість.
Надвисокочастотна, мікро- та оптоелектроніка має стратегічне значення для економіки України, оскільки вона визначає технічний рівень промислової і побутової продукції, її конкурентоспроможність, стимулює розвиток сучасних інформаційних систем, засобів зв'язку, будівництво цивільних та військових літаків тощо. Обороноздатність країни також потребує високого рівня самозабезпечення електронною елементною базою військової техніки, де використання зарубіжної електроніки неприпустиме. Усе це свідчить про виключну важливість для майбутнього України інтенсифікації процесів розвитку електронної галузі, які за останнє десятиліття уповільнилися, та потребує вирішення завдань прискореного розвитку галузі, зміцнення економічної і технологічної незалежності.
2. Мета і основні завдання
Метою Програми є налагодження вітчизняного виробництва наукоємного електронного технологічного обладнання та сучасної електронної компонентної бази (далі - електронна база), забезпечення пріоритетного розвитку мікроелектроніки, мікромеханізації, квантової, нано-, акусто-, опто-, магнітоелектроніки, надвисокочастотної та інфрачервоної техніки, радіаційно стійкої електронної бази.
Основними завданнями Програми є:
розроблення та прискорене впровадження наукоємних технологій, налагодження на цій основі виробництва конкурентоспроможного електронного технологічного обладнання і сучасної електронної компонентної бази новітнього покоління;
налагодження виробництва високоефективних джерел світла;
забезпечення необхідного функціонального і технологічного рівня електронної бази за рахунок використання прикладних розробок вітчизняної науки;
розроблення мікро- та оптоелектронних компонентів і приладів для сфери охорони здоров'я, моніторингу навколишнього середовища, запобігання тероризму;
забезпечення розвитку конкурентоспроможних напрямів твердотільної надвисокочастотної електроніки міліметрового діапазону.
З метою виконання Програми розроблено заходи, що додаються.
3. Фінансове забезпечення
Фінансування Програми здійснюється за рахунок коштів державного бюджету, а також інших джерел.
Загальний обсяг коштів на фінансування Програми становить 59,36 млн. гривень, з них з державного бюджету - 56,71 млн. гривень, зокрема у 2005 році - 21,54 млн. гривень, 2006 році - 20,795
млн., 2007 році - 14,375 млн., з інших джерел - 2,65 млн. гривень.
4. Організаційне забезпечення
З метою забезпечення ефективного виконання Програми Національна академія наук як державний замовник здійснює такі заходи:
укладає договори з виконавцями, передбаченими Програмою;
здійснює контроль за виконанням заходів Програми в установлені строки, досягненням передбачених цільових показників, використанням фінансових, матеріально-технічних та інших ресурсів за призначенням;
подає щороку до 1 березня Кабінетові Міністрів України інформацію про хід виконання Програми, а після закінчення строку її виконання - заключний звіт про одержані результати.
Виконавцями заходів Програми є інститути Національної академії наук.
5. Очікувані результати
У результаті виконання Програми очікується:
1) розробка мікро- та оптоелектронних компонентів і приладів для потреб охорони здоров'я, моніторингу зовнішнього середовища, запобігання тероризму, зокрема:
інтегрованих електронних пристроїв для вимірювання потужності дози та інтегральної поглиненої дози ультрафіолетового випромінювання в діапазонах A та B, потужності дози в діапазоні C (стерилізація біопрепаратів і медичного інструменту), а також для визначення сонцезахисного фактора (SPF) різних видів тканин і косметичних засобів;
технологій одержання багатоелементних p-i-n фотодіодів (16-, 32- та 64-канальних) для лінійок детекторів у рентгенівських інспекційних сканерах;
технологій одержання фотодіодних багатоелементних структур з розміром пікселя 200 - 250 мкм, інтегрованою електронікою і комутатором для лінійок детекторів з поліпшеним просторовим розрізненням;
детекторів радіації на фотодіодних структурах різного призначення, а саме: для використання в діапазонах енергій від 30 кеВ до 10 МеВ, контролю багажу, вантажу, легких і важких автомобілів, морських і авіаційних контейнерів; освоєння дослідно-промислового виробництва таких детекторів з параметрами, що перевищують світовий рівень;
енергоселективних сенсорів для екологічного і промислового моніторингу тритію та сенсорів ультрафіолетової радіації нового покоління з експлуатаційними параметрами, що відповідають сучасному рівню світових досягнень;
технологій одержання p-i-n структури на різних типах кремнієвих кристалів;
організаційних передумов для налагодження промислового виробництва ультрафіолетових дозиметрів для застосування в медичних закладах та населенням;
2) створення електронної бази для інфрачервоної мікрофотоелектроніки, зокрема:
багатоелементних та матричних гібридних інфрачервоних фотоприймальних пристроїв, які складаються з матриць фоточутливих елементів для детектування інфрачервоного випромінювання та кремнієвих фокальних мікропроцесорів, для зчитування та обробки сигналів у фокальній площині;
технологій виготовлення основних функціональних елементів фотоприймальних пристроїв (охолоджуваних фотодіодних та неохолоджуваних мікроболометричних матриць, кремнієвих фокальних процесорів (пристроїв зчитування інформації), допоміжних приладів і пристроїв);
методів аналізу функціонування та побудови багатоелементних і матричних фотоприймальних пристроїв;
приладів та засобів метрології багатоелементних фотоприймальних пристроїв;
3) налагодження виробництва високоефективних напівпровідникових джерел світла, зокрема:
удосконалення технології вирощування сапфіру для потреб оптоелектроніки;
впровадження технологій виготовлення сапфірових підкладок з необхідною якістю поверхні;
розроблення технологій та організація виробництва ефективних світлодіодів;
створення високоефективних інфрачервоних випромінювачів, повністю сумісних з кремнієвою технологією;
4) забезпечення розвитку конкурентоспроможних напрямів твердотільної надвисокочастотної електроніки міліметрового діапазону довжин хвиль шляхом:
збільшення довговічності приладів у десятки разів, що дозволить збільшити час активної експлуатації штучних супутників Землі;
поліпшення якості спектра генеруючих коливань;
створення єдиної сучасної системи метрології і стандартизації в електроніці;
оснащення підприємств та
науково-дослідних установ необхідним фізико-хімічним аналітичним обладнанням, розвитку їхньої діагностичної бази;
створення центрів фізико-хімічних методів діагностики загального користування;
розвитку діагностичних методів, які будуть забезпечувати вимірювання структурних, оптичних та електрофізичних параметрів вихідних матеріалів електронної техніки;
налагодження виробництва надвисокочастотної елементної бази міліметрового діапазону (дискретні елементи) для новітніх малогабаритних і недорогих систем радіолокації, навігації, зв'язку, радарних сенсорів, медичної та наукової апаратури.
6. Контроль за виконанням
Контроль за виконанням Програми здійснює Кабінет Міністрів України шляхом розгляду щорічних і заключного звітів та узагальненого висновку про кінцеві результати виконання Програми.
Безпосередній контроль за виконанням заходів Програми, ефективним та цільовим використанням коштів її виконавцями здійснює Національна академія наук.
Додаток
до Програми
ЗАХОДИ
щодо розвитку мікро- та оптоелектронних технологій на 2005 - 2007 роки
(тис. гривень)
Зміст заходу
Виконавці
Обсяг фінансування
У тому числі з державного бюджету за роками
2005
2006
2007
I. Оптоелектронні пристрої для сфери охорони здоров'я, моніторингу навколишнього середовища і запобігання тероризму
1.
Розробка енергоселективних сенсорів ультрафіолетової радіації нового покоління на сполуках A2B6 з експлуатаційними параметрами, що відповідають сучасному рівню світових досягнень
Інститут сцинтиляційних матеріалів
450
200
200
Інститут мікроприладів
420
200
200
2.
Створення інтегрованих електронних пристроїв для виміру потужності дози та інтегральної поглиненої дози ультрафіолетового випромінювання в діапазоні A та B, потужності дози в діапазоні C
- " -
450
440
100
150
200
100
100
150
3.
Підготовка до організації промислового виробництва ультрафіолетових дозиметрів для застосування в медичних закладах і населенням
- " -
250
340
100
150
50
50
50
100
4.
Відпрацювання технології одержання p-i-n структур на основі різних за типом кремнієвих кристалів
Інститут сцинтиляційних матеріалів
750
400
150
150
Розроблення технології виробництва p-i-n фотодіодів з параметрами, що не поступаються зарубіжним аналогам
Інститут мікроприладів
750
300
200
200
5.
Розроблення технології одержання багатоелементних p-i-n фотодіодів (16-, 32- та 64-канальних) для лінійок детекторів, придатних до застосування у рентгенівських інспекційних сканерах
- " -
750
750
300
400
200
100
200
200
6.
Розроблення технології одержання фотодіодних багатоелементних структур із кроком 200 - 250 мкм з інтегрованою електронікою і комутаторами для лінійок детекторів з поліпшеним просторовим розрізненням
- " -
650
650
200
300
200
200
200
100
7.
Створення детекторів радіації на фотодіодних структурах у діапазоні енергій від 30 кеВ до 8 - 10 МеВ для контролю багажу, морських та авіаційних контейнерів, легкових та вантажних автомобілів. Освоєння дослідно-промислового виробництва детекторів
Інститут сцинтиляційних матеріалів
2150
1000
500
500
8.
Розробка енергоселективних сенсорів для екологічного і промислового моніторингу тритію, що відповідають сучасному світовому рівню
Інститут мікроприладів
2150
1000
500
500
II. Інфрачервона мікрофотоелектроніка
1.
Створення діодних p-i-n структур у вузькозонному напівпровідниковому матеріалі ртуть-кадмій-телур методом іонної імплантації
Інститут фізики напівпровідників
250
80
90
80
Інститут мікроприладів
450
150
150
150
2.
Розрахунок профілів розподілу іонів, імплантованих у плівки кадмій-ртуть-телур та кадмій-телур (аргон, водень, гелій, бор, неон)
Інститут фізики напівпровідників
50
20
15
15
3.
Дослідження процесів аморфізації захисного шару кадмій-телур та впливу аморфізації на характеристики діодів
- " -
50
20
15
15
4.
Формування p+-шарів в епітаксійних плівках кадмій-ртуть-телур шляхом імплантації іонів B+.
Оптимізація режимів імплантації та відпалу
- " -
50
20
15
15
5.
Дослідження деградаційних процесів електричних характеристик структур у природних умовах та під дією зовнішнього впливу акустичних навантажень у структурах кадмій-ртуть-телур, сформованих шляхом іонного травлення та іонної імплантації
- " -
50
20
15
15
6.
Відпрацювання технології нанесення пасиваційних покриттів кадмій-телур на поверхню фотоприймачів на основі кадмій-ртуть-телур. Розробка апаратно-технічного рішення введення ультразвуку в активну зону установки "гаряча стінка"
Інститут фізики напівпровідників
50
20
15
15
Інститут мікроприладів
200
60
70
70
7.
Математичне моделювання росту пасиваційних покриттів на епітаксійні структури для інфрачервоної фотоелектроніки
Інститут фізики напівпровідників
50
20
15
15
8.
Розробка нових бром- та йодвиділяючих травильних композицій для хімічного полірування напівпровідникових матеріалів інфрачервоної техніки та створення нових композицій для пасивації їх поверхні
- " -
50
20
15
15
9.
Вибір компонентів травників, підбір їх співвідношення, оптимізація складів селективних травників та технологічних режимів травлення, розроблення методики визначення густини дислокацій тонких шарів твердих розчинів CdxHg1-xTe
- " -
50
20
15
15
10.
Відпрацювання методики пасивації поверхні твердих розчинів CdxHg1-xTe в різних сульфідних сумішах
Інститут фізики напівпровідників
50
20
15
15
11.
Розроблення технології виготовлення неохолоджуваних фоточутливих структур - мікроболометричних матриць на основі кремнію
Інститут фізики напівпровідників
50
20
15
15
Інститут мікроприладів
150
50
50
50
12.
Розроблення архітектури та елементної бази для побудови схем зчитування та дослідження їх фізико-технічних характеристик
Інститут мікроприладів
550
180
190
180
13.
Розроблення технології виготовлення схем зчитування. Опрацювання технологічних режимів та маршруту виготовлення кремнієвих фокальних процесорів на базі КМОН-технології з проектними нормами не гірше 1,6 мкм, розробка нестандартного технологічного обладнання
- " -
400
130
130
140
14.
Виготовлення дослідних зразків кремнієвих схем зчитування для матричних та лінійчастих багатоелементних інфрачервоних фотоприймачів, виготовлення нестандартного технологічного обладнання. Розроблення методик тестування та обладнання для тестування параметрів схем зчитування
Інститут мікроприладів
400
130
130
140
15.
Виготовлення обладнання для тестування схем зчитування та його метрологічна атестація
- " -
350
110
120
120
16.
Дослідження характеристик та випробування розроблених схем зчитування
- " -
200
65
70
65
17.
Дослідження характеристик схем зчитування при низьких та наднизьких температурах
Інститут фізики напівпровідників
250
70
80
70
18.
Дослідження характеристик та випробування схем зчитування, гібридизованих з масивом фотоелементів
- " -
300
100
100
100
19.
Розробка методів обробки сигналів з великого масиву фоточутливих елементів та створення алгоритмів побудови інфрачервоних зображень
- " -
200
70
70
60
20.
Створення контактів до епітаксійних шарів кадмій-ртуть-телур. Формування багатошарових електричних контактів до лінійок фотоприймачів на основі HgCdTe та методом вакуумного напилення
Інститут фізики напівпровідників
50
15
20
15
Інститут мікроприладів
250
80
80
90
21.
Відпрацювання технології створення індієвих стовпчиків на схемах зчитування і лінійках фотоприймачів
Інститут фізики напівпровідників
50
15
20
15
22.
Відпрацювання технології гібридизації лінійок фотоприймачів на структурах кадмій-ртуть-телур з кремнієвими схемами зчитування
- " -
50
15
20
15
23.
Удосконалення лабораторного устаткування для виконання операції гібридизації, створення нових вузлів апаратури інфрачервоного діапазону
- " -
100
30
40
30
24.
Відпрацювання операцій виготовлення невипрямляючих контактів і з'єднання
фрагментів напівпровідникової мікроелектроніки та інфрачервоної оптики мікродротом (Au, Al)
- " -
50
15
20
15
25.
Відпрацювання технології виготовлення сапфірових підкладок з токопровідними доріжками
- " -
50
15
20
15
26.
Розробка та аналіз ефективності та надійності клеєвих композицій для кріогенних температур
Інститут фізики напівпровідників
50
15
20
15
Інститут мікроприладів
50
15
20
15
27.
Розроблення технології та створення робочого місця оператора для виконання операцій збирання фоточутливих матриць у кріостат
Інститут фізики напівпровідників
150
50
50
50
28.
Удосконалення існуючих та розробка нових зразків оптичних кріостатів з германієвим вхідним вікном та діафрагмою
- " -
50
15
20
15
29.
Розробка нових фізико-технологічних рішень виготовлення інфрачервоних фотоприймальних пристроїв, пов'язаних з удосконаленням технологій збирання, кріплення, розробкою охолоджуваних інтерференційних фільтрів
- " -
50
15
20
15
Інститут мікроприладів
250
90
80
80
30.
Розробка метрологічного забезпечення, вимірювання електричних параметрів схем зчитування інформації з багатоелементних фотодетекторів
Інститут фізики напівпровідників
100
30
40
30
Інститут мікроприладів
150
50
50
50
31.
Розробка метрологічного забезпечення, вимірювання фотоелектричних параметрів багатоелементних фотоприймачів інфрачервоного діапазону
Інститут фізики напівпровідників
100
30
40
30
32.
Виготовлення автоматизованого високоточного вимірювального комплексу для проведення метрологічної атестації електричних та фотоелектричних параметрів схем зчитування, багатоелементних фотодіодних лінійок та фотоприймальних пристроїв
Інститут фізики напівпровідників
200
70
70
60
Інститут мікроприладів
100
30
40
30
33.
Дослідження шумів багатоелементних інфрачервоних фотоприймачів та тепловізорів на їх основі. Розроблення методик вимірювання та апаратно-програмного заглушення шумів
Інститут фізики напівпровідників
100
30
40
30
34.
Розробка високоточної апаратури та метрологічного забезпечення для проведення вимірювань виявної здатності та температури, еквівалентної шумам фотоприймальних пристроїв інфрачервоного діапазону
- " -
200
70
70
60
35.
Створення та атестація метрологічного центру з вимірювання параметрів інфрачервоних фотоприймачів
Інститут фізики напівпровідників
200
70
70
60
36.
Аналіз впливу донорних домішок різної хімічної природи на оптичні та електричні характеристики кристалів оптичного германію. Проведення контрольних вимірів параметрів зразків
- " -
100
30
40
30
37.
Дослідження об'ємного розподілу донорних домішок у кристалах оптичного германію великої площини (діаметром до 230 мм). Одержання однорідних кристалів таких розмірів
- " -
100
30
40
30
38.
Відпрацювання та оптимізація технологічного маршруту та окремих процесів виготовлення функціональних елементів та фотоприймальних пристроїв у цілому на основі охолоджуваних діодних і неохолоджуваних мікроболометричних матриць
Інститут фізики напівпровідників
500
100
100
300
Інститут мікроприладів
400
150
150
100
III. Виробництво високоефективних електролюмінісцентних джерел світла
1.
Доопрацювання конструкції та виготовлення 18 ростових установок типу "Горизонт 2М" для вирощування кристалів сапфіра для оптоелектроніки
Інститут монокристалів
9000
4500
4500
2.
Проведення робіт з інженерно-технічного забезпечення нової ділянки для вирощування кристалів сапфіра
Інститут монокристалів
2000
600
600
700
3.
Проведення пусконалагоджувальних робіт 18 ростових установок типу "Горизонт 2М"
- " -
900
450
450